IRLBD59N04ETRLP

Infineon Technologies

IRLBD59N04ETRLP

アナログ・電源

MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5

旧品種TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2190 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C59A (Tc)
最大消費電力130W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
サプライヤーデバイスパッケージTO-263-5

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)