IRFHM830TRPBF

Infineon Technologies

IRFHM830TRPBF

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2155 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 50µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 40A (Tc)
最大消費電力2.7W (Ta), 37W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-PQFN-Dual (3.3x3.3)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)