IRFHM830TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM830TR2PBF

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

旧品種8-VQFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2155 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 50µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 40A (Tc)

機械特性

パッケージCut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージPQFN (3x3)