IRF9953

Infineon Technologies

IRF9953

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO

旧品種8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1A, 10V
ベース品番IRF995
構成2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 15V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Power - Max2W

機械特性

パッケージTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SO

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)