IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

IRF7907TRPBF

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.4mOhm @ 9.1A, 10V
ベース品番IRF7907
構成2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 15V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.1A, 11A
Power - Max2W

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SO

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)