取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 120A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12320 pF @ 25 V |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta), 375A (Tc) |
| 最大消費電力 | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
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| Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DirectFET™ Isometric L8 |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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