IRF7379

Infineon Technologies

IRF7379

データシート

アナログ・電源

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO

旧品種8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5.8A, 10V
ベース品番IRF737
構成N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 25V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A, 4.3A
Power - Max2.5W

機械特性

パッケージTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SO

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)