取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 16A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1038 pF @ 13 V |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 25 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 50A (Tc) |
| 最大消費電力 | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
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| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DirectFET™ Isometric S1 |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
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