IRF6709S2TRPBF

Infineon Technologies

IRF6709S2TRPBF

アナログ・電源

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

旧品種DirectFET™ Isometric S1アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1010 pF @ 13 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 39A (Tc)
最大消費電力1.8W (Ta), 21W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseDirectFET™ Isometric S1
サプライヤーデバイスパッケージDirectFET™ Isometric S1

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)