IRF6645

Infineon Technologies

IRF6645

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

旧品種DirectFET™ Isometric SJアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds890 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 50µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta), 25A (Tc)
最大消費電力3W (Ta), 42W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseDirectFET™ Isometric SJ
サプライヤーデバイスパッケージDIRECTFET™ SJ

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)