IRF6607

Infineon Technologies

IRF6607

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

旧品種DirectFET™ Isometric MTアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6930 pF @ 15 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 94A (Tc)
最大消費電力3.6W (Ta), 42W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseDirectFET™ Isometric MT
サプライヤーデバイスパッケージDIRECTFET™ MT

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)