IRF5806

Infineon Technologies

IRF5806

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6

旧品種SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs86mOhm @ 4A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds594 pF @ 15 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
最大消費電力2W (Ta)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージMicro6™(TSOP-6)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)