IRF2805STRLPBF

Infineon Technologies

IRF2805STRLPBF

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

生産終了TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 104A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5110 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C135A (Tc)
最大消費電力200W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージD2PAK

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)