IRF135S203

Infineon Technologies

IRF135S203

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 77A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9700 pF @ 50 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズHEXFET®, StrongIRFET™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧135 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C129A (Tc)
最大消費電力441W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-3-2

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)