一般
| ベース品番 | IR2011 |
|---|---|
| Channel Type | Independent |
| Driven Configuration | High-Side or Low-Side |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| 入力タイプ | Inverting |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 35ns, 20ns |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 1A, 1A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.7V, 2.2V |
| 電源電圧 | 10V ~ 20V |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PDIP |
環境条件
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|