IPT022N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

IPT022N10NF2SATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET

量産中8-PowerSFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.25mOhm @ 150A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 50 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズStrongIRFET™ 2
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 169µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Ta), 236A (Tc)
最大消費電力3.8W (Ta), 250W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
サプライヤーデバイスパッケージPG-HSOF-8

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)