IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

IPN65R1K5CEATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223

生産終了TO-261-4, TO-261AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 100 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
シリーズCoolMOS™ CE
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 100µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Tc)
最大消費電力5W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージPG-SOT223

環境条件

動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)