IPN60R2K1CE

Infineon Technologies

IPN60R2K1CE

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

旧品種TO-261-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1Ohm @ 800mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 100 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズCoolMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 60µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Tc)
最大消費電力5W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-261-3
サプライヤーデバイスパッケージPG-SOT223-3-1

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)