IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

IPN50R950CEATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223

生産終了TO-261-4, TO-261AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs950mOhm @ 1.2A, 13V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds231 pF @ 100 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
シリーズCoolMOS™ CE
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 100µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A (Tc)
最大消費電力5W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージPG-SOT223

環境条件

動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)