IPN50R3K0CE

Infineon Technologies

IPN50R3K0CE

データシート

アナログ・電源

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

量産中TO-261-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 400mA, 13V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds84 pF @ 100 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズCoolMOS™ CE
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 30µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Tc)
最大消費電力5W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-261-3
サプライヤーデバイスパッケージPG-SOT223

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)