IPL65R660E6AUMA1

Infineon Technologies

IPL65R660E6AUMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK

旧品種4-PowerTSFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs660mOhm @ 2.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 100 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズCoolMOS™ E6
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 200µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
最大消費電力63W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
サプライヤーデバイスパッケージPG-VSON-4

環境条件

動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)