IPL60R360P6SATMA1

Infineon Technologies

IPL60R360P6SATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1010 pF @ 100 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズCoolMOS™ P6
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 370µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.3A (Tc)
最大消費電力89.3W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-ThinPak (5x6)

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)