IPI530N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

IPI530N15N3GXKSA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3

生産終了TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 18A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds887 pF @ 75 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプThrough Hole
Product StatusDiscontinued at
シリーズOptiMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 35µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
最大消費電力68W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO262-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)