IPD90R1K2C3ATMA2

Infineon Technologies

IPD90R1K2C3ATMA2

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710 pF @ 100 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズCoolMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 0.31mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Tc)
最大消費電力83W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO252-3

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)