IPD90N04S3H4ATMA1

Infineon Technologies

IPD90N04S3H4ATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

生産終了TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3900 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
シリーズOptiMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 65µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
最大消費電力115W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO252-3-11

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)