IPD80R4K5P7

Infineon Technologies

IPD80R4K5P7

データシート

アナログ・電源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 400mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80 pF @ 500 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズCoolMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 200µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)
最大消費電力13W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO252-3-341

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)