IPD65R660CFDAATMA1

Infineon Technologies

IPD65R660CFDAATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs660mOhm @ 3.22A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds543 pF @ 100 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズCoolMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 214.55µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
最大消費電力62.5W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101