IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

IPD60N10S412ATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.2mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2470 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズOptiMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 46µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大消費電力94W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101