IPB95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies

IPB95R450PFD7ATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3

量産中TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 7.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1230 pF @ 400 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズ448
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 360µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.3A (Tc)
最大消費電力104W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-3-2

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)