一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.4A, 10V |
|---|---|
| ベース品番 | IPB65R190 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1291 pF @ 400 V |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |