IPB180N10S403ATMA1

Infineon Technologies

IPB180N10S403ATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

生産終了TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10120 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
シリーズOptiMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 180µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
最大消費電力250W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101