IPB180N10S402ATMA1

Infineon Technologies

IPB180N10S402ATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

量産中TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14600 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 275µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
最大消費電力300W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-7-3

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)