IPB100P03P3L-04

Infineon Technologies

IPB100P03P3L-04

アナログ・電源

P-CHANNEL POWER MOSFET

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 80A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9300 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズOptiMOS™-P
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 475µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
最大消費電力200W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-3-2

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)