IPB024N08N5ATMA1

Infineon Technologies

IPB024N08N5ATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8970 pF @ 40 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズOptiMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 154µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
最大消費電力214W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)