一般
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 744 pF @ 400 V |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| シリーズ | CoolSiC™ |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -5V |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| 最大消費電力 | 96W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-4 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-4-3 |
環境条件
| 動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|