IMZA65R048M1HXKSA1

Infineon Technologies

IMZA65R048M1HXKSA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

量産中TO-247-4アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 20.1A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1118 pF @ 400 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズCoolSiC™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+23V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id5.7V @ 6mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A (Tc)
最大消費電力125W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO247-4-3

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)