IMW65R083M1HXKSA1

Name: IMW65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies

アナログ・電源

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

量産中TO-247-3アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	111mOhm @ 11.2A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	624 pF @ 400 V
メーカー	Infineon Technologies
実装タイプ	Through Hole
Product Status	Active
シリーズ	CoolSiC™
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -2V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 3.3mA

ドレイン-ソース間電圧	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
最大消費電力	104W (Tc)

動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)