IMW120R040M1HXKSA1

Infineon Technologies

IMW120R040M1HXKSA1

データシート

アナログ・電源

SIC DISCRETE

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs54.4mOhm @ 19.3A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1620 nF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズCoolSiC™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id5.2V @ 10mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
最大消費電力227W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO247-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)