IMBG65R030M1HXTMA1

Name: IMBG65R030M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies

アナログ・電源

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263

量産中アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 29.5A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1643 pF @ 400 V
メーカー	Infineon Technologies
実装タイプ	Surface Mount
Product Status	Active
シリーズ	CoolSiC™
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+23V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 8.8mA

ドレイン-ソース間電圧	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	63A (Tc)
最大消費電力	234W (Tc)

パッケージ	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO263-7-12

動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)