IMBF170R650M1XTMA1

Infineon Technologies

IMBF170R650M1XTMA1

データシート

アナログ・電源

SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7

量産中TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs650mOhm @ 1.5A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds422 pF @ 1000 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズCoolSiC™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+20V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5.7V @ 1.7mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.4A (Tc)
最大消費電力88W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-7-13

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)