IGLD60R190D1AUMA3

Infineon Technologies

IGLD60R190D1AUMA3

データシート

アナログ・電源

GAN HV

量産中8-LDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds157 pF @ 400 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズCoolGaN™
技術GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)-10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 960µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
最大消費電力62.5W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-LDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージPG-LSON-8-1

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)