一般
| ベース品番 | IGLD60 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | CoolGaN™ |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| 最大消費電力 | 114W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-LDFN Exposed Pad |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-LSON-8-1 |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|