F423MR12W1M1PB11BPSA1

Infineon Technologies

F423MR12W1M1PB11BPSA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET 4N-CH 1200V 50A AG-EASY1B

旧品種Moduleアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 50A, 15V
ベース品番F423MR12
構成4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3.68nF @ 800V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプChassis Mount
梱包Tray
製品ステータス旧品種
シリーズEasyPACK™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 20mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A

機械特性

Package / CaseModule
サプライヤーデバイスパッケージAG-EASY1B-2

環境条件

動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)