CYDM256B16-55BVXI

Infineon Technologies

CYDM256B16-55BVXI

メモリ・ストレージ

IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA

旧品種100-VFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Dual Port, MoBL
アクセス時間55 ns
ベース品番CYDM
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズMoBL®
書き込みサイクル時間55ns

電気特性

メモリ容量256Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
Memory Organization16K x 16

機械特性

パッケージTray
Package / Case100-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ100-VFBGA (6x6)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)