CY7C199D-10VXIT

Infineon Technologies

CY7C199D-10VXIT

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

量産中28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間10 ns
ベース品番CY7C199
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
書き込みサイクル時間10ns

電気特性

メモリ容量256Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization32K x 8

機械特性

Package / Case28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ28-SOJ

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)