一般
| メモリタイプ | Volatile |
|---|---|
| 技術 | SRAM - Asynchronous |
| アクセス時間 | 15 ns |
| ベース品番 | CY7C199 |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| 書き込みサイクル時間 | 15ns |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| メモリタイプ | Volatile |
|---|---|
| 技術 | SRAM - Asynchronous |
| アクセス時間 | 15 ns |
| ベース品番 | CY7C199 |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| 書き込みサイクル時間 | 15ns |
| メモリ容量 | 256Kbit |
|---|---|
| メモリ形式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 電源電圧 | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 32K x 8 |
| Package / Case | 28-DIP (0.300", 7.62mm) |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | 28-PDIP |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|