CY7C1911KV18-300BZCT

Infineon Technologies

CY7C1911KV18-300BZCT

メモリ・ストレージ

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

旧品種165-LBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, QDR II
ベース品番CY7C1911
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量18Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数300 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.9V
Memory Organization2M x 9

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case165-LBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-FBGA (13x15)

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)