CY7C106D-10VXI

Infineon Technologies

CY7C106D-10VXI

メモリ・ストレージ

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ

旧品種28-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間10 ns
ベース品番CY7C106
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間10ns

電気特性

メモリ容量1Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization256K x 4

機械特性

パッケージTube
Package / Case28-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ28-SOJ

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)