CY14B116N-BA25XI

Infineon Technologies

CY14B116N-BA25XI

メモリ・ストレージ

IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA

量産中60-LFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
アクセス時間25 ns
ベース品番CY14B116
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間25ns

電気特性

メモリ容量16Mbit
メモリ形式NVSRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 16

機械特性

パッケージTray
Package / Case60-LFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ60-FBGA (10x18)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)