CY14B104NA-BA45XE

Infineon Technologies

CY14B104NA-BA45XE

メモリ・ストレージ

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

量産中48-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
アクセス時間45 ns
ベース品番CY14B104
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間45ns

電気特性

メモリ容量4Mbit
メモリ形式NVSRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧3V ~ 3.6V
Memory Organization256K x 16

機械特性

パッケージTray
Package / Case48-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ48-FBGA (6x10)

環境条件

動作温度-40°C~125°C(TA)